技术参数
产品描述
NTBG040N120SC1:碳化硅(SiC)MOSFET-EliteSiC,40 mohm,1200 V,M1,D2PAK−7L
特征
•类型。RDS(开启)=40米
•超低栅极电荷(典型QG(tot)=106 nC)
•低有效输出电容(典型Coss=139 pF)
•99%雪崩测试
•TJ=175°C
•该设备不含铅,符合RoHS标准
典型应用
•UPS
•DC/DC转换器
•升压逆变器
深圳市明佳达电子有限公司
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技术参数制造商ON型号NTBG040N120SC1封装D2PAK-7描述表面贴装型N通道1200V60A(Tc)357W(Tc)D2PAK-7产品描述NTBG040N120SC1:碳化硅(SiC)MOSFET-EliteSiC
NTBG040N120SC1:碳化硅(SiC)MOSFET-EliteSiC,40 mohm,1200 V,M1,D2PAK−7L
特征
•类型。RDS(开启)=40米
•超低栅极电荷(典型QG(tot)=106 nC)
•低有效输出电容(典型Coss=139 pF)
•99%雪崩测试
•TJ=175°C
•该设备不含铅,符合RoHS标准
典型应用
•UPS
•DC/DC转换器
•升压逆变器
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