技术参数
制造商
ON
型号
NVBG080N120SC1
封装
D2PAK-7
描述
表面贴装型 N 通道 1200 V 30A（Tc） 179W（Tc） D2PAK-7
产品描述
NVBG080N120SC1碳化硅（SiC）MOSFET，N沟道-EleteSiC，80 mΩ，1200 V，M1，D2PAK−7L
概述
EliteSiC MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比，该技术提供了的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括的效率、更快的操作频率、增加的功率密度、减少的EMI和减小的系统尺寸。
特征
•类型。RDS（开启）=80米
•超低栅极电荷（典型QG（tot）=56 nC）
•低有效输出电容（典型Coss=79 pF）
•99%雪崩测试
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力
•该设备不含卤化物，符合RoHS标准，具有7a、Pb−Free 2LI豁免（二级互连）
典型应用
•车载汽车充电器
•用于EV/HEV的汽车DC-DC转换器
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