技术参数
产品描述
NVH4L020N120SC1碳化硅(SiC)MOSFET,N沟道-EleteSiC,20 mohm,1200 V,M1,TO247−4L
特征
•类型。RDS(开启)=20米
•超低栅极电荷(QG(tot)=220 nC)
•低电容高速开关(Coss=258 pF)
•99%雪崩测试
•AEC−Q101合格且具备PPAP能力
•该设备不含卤化物,符合RoHS要求,可豁免7a,Pb−Free 2LI(在二级互连上)
典型应用
•车载汽车充电器
•用于EV/HEV的汽车DC-DC转换器
•汽车牵引逆变器
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