技术参数
制造商
ON
型号
NTH4L045N065SC1
封装
TO-247-4
描述
通孔 N 通道 650 V 55A（Tc） 187W（Tc） TO-247-4L
产品描述
NTH4L045N065SC1 是 650V、33mohm、碳化硅 (SiC) MOSFET N 沟道晶体管 - EliteSiC，TO-247-4L。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：50 毫欧 @ 25A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：4.3V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：105 nC @ 18 V
Vgs（值）：+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：1870 pF @ 325 V
功率耗散（值）：187W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-4L
封装/外壳：TO-247-4
产品特性
典型值 RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V
典型值 RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V
超低栅极电荷 (QG(tot) = 105 nC)
高速开关，低电容（Coss = 162 pF）
99% 雪崩测试
TJ = 175°C
典型应用
SMPS（开关模式电源）
太阳能逆变器
UPS（不间断电源）
能源存储器
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