技术参数
产品描述
NVMFS6H824NT1G 是适用于紧凑和高效设计的汽车用80V,107A,4.5mΩ功率MOSFET,安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。该N 沟道功率MOSFET可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。
规格
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A(Ta),103A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值):4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):38 nC @ 10 V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):2470 pF @ 40 V
FET 功能:-
功率耗散(值):3.8W(Ta),115W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线
基本产品编号:NVMFS6
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