技术参数
制造商
ON
型号
NTMFS5C670NLT1G
封装
8-PowerTDFN
描述
N 沟道 60 V 17A (Ta)，71A (Tc) 3.6W (Ta)，61W (Tc) 表面贴装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
产品描述
NTMFS5C670NLT1G 是 60V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。
产品属性
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 6.1 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 20 nC @ 10 V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 1400 pF @ 25 V
功率耗散（值） 3.6W（Ta），61W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线
特性
小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计
低 RDS(on)，将传导损耗降至
低 QG 和电容，将驱动器损耗降至
应用
高性能 DC-DC 转换器
负载点模块
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。