技术参数
制造商
ON
型号
NTMFD5C674NLT1G
封装
8-PowerTDFN
描述
MOSFET - 阵列 60V 11A（Ta），42A（Tc） 3W（Ta），37W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
产品描述
NTMFD5C674NLT1G 是 60V 双 N 沟道工业功率 MOSFET 晶体管，采用 5x6 mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。
产品属性
技术 MOSFET（金属氧化物）
配置 2 N 沟道（双通道）
漏极至源极电压 (Vdss) 60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Ta），42A（Tc）
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 25µA
栅极电荷 (Qg)（值）@ Vgs 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（值）@ Vds 640pF @ 25V
功率 - 3W（Ta），37W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-DFN (5x6) 双旗 (SO8FL-Dual)
应用
电机控制
同步直流至直流稳压器
电源开关（高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥等）
电池管理和保护
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。