CHI900D/920D扫描电化学显微镜
电化学扫描显微镜(SECM)由University of Taxes at Austin化学系的Allen J. Bard教授发明于1989年。CH Instruments和Allen J. Bard教授合作实现了电化学扫描显微镜的仪器商品化，从而使得这一强有力的研究方法走进了更多的实验室.扫描电化学显微镜与扫描隧道显微镜(STM)的工作原理类似。但SECM测量的不是隧道电流，而是由化学物质氧化或还原给出的电化学电流。尽管SECM的分辨率较STM低，但SECM的样品可以是导体，绝缘体或半导体，而STM只限于导体表面的测量。SECM除了能给出样品表面的地形地貌外，还能提供丰富的化学信息。其可观察表面的范围也大得多.
| 硬件参数指标 高分辨的三维定位装置： 步进电机XYZ分辨率：8nm (CHI900D) 步进电机加闭环压电晶体XYZ分辨率：1.6nm (CHI920D) XYZ移动距离：50 mm 恒电位仪/双恒电位仪 零阻电流计 2，3，4电极结构 浮动地线或实地 两个通道Z大电位范围： ±10 V Z大电流：±250 mA 连续（两个通道电流之和）, ±350 mA 峰值 槽压：±13 V 恒电位仪上升时间： 小于 1 ms, 通常 0.8 ms 恒电位仪带宽（-3分贝）：1 MHz 所加电位范围：±10 mV, ±50 mV, ±100 mV, ±650 mV, ±3.276 V, ±6.553 V, ±10 V 所加电位分辨：电位范围的0.0015% 所加电位准确度： ±1 mV,满量程的0.01% 所加电位噪声：< 10 mV 均方根植 测量电流范围：±10 pA 至±0.25 A， 12量程 测量电流分辨：电流量程的0.0015%，Z低 0.3 fA 电流测量准确度：电流灵敏度大于等于1e-6 A/V时为0.2%，其他量程1% 输入偏置电流：< 10 pA 恒电流仪 恒电流范围： 3 nA -250 mA 加电流准确度：如果电流大于 3e-7A时为0.2%，其他范围为1%，±20 pA 所加电流分辨率：电流范围的0.03% 测量电流范围： ±0.025 V,±0.1 V, ±0.25 V, ±1 V, ±2.5 V, ±10 V 测量电位分辨率：测量范围的0.0015% Electrometer: 电位计 参比电极输入阻抗：1e12 欧姆 参比电极输入带宽： 10 MHz 参比电极输入偏置电流：<= 10 pA @ 25°C 波形发生和数据获得系统 快速信号发生更新速率：10 MHz， 16位分辨 快速数据采集系统：16位分辨，双通道同步采样，采样速率每秒1,000,000 点 外部信号记录通道Z高采样速率1M Hz 其他特点 自动或手动iR降补偿 电流测量偏置：满量程，16位分辨，0.003% 准确度 电位测量偏置：±10V，16位分辨，0.003% 准确度 外部电位输入 电位和电流的模拟输出 可控电位滤波器的截止频率： 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz 可控信号滤波器的截止频率： 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz 旋转电极控制电压输出：0-10V 对用于 0-10000 rpm的转速16位分辨，0.003% 准确度，需要某些旋转电极装置才能工作 通过宏命令可以控制数字输入输出线 内闪存储器可迅速更新程序 串行口或USB口数据通讯 电解池控制：通氮,搅拌,敲击（需要teshu电解池系统） CV数字模拟器和拟合器。用户定义反应机理 交流阻抗模拟器和拟合器 探头逼近曲线的模拟和拟合 Z大数据长度：256,000-16,384,000 点可选择 仪器尺寸： 37 cm (宽) ´ 23 cm (深) ´ 12 cm (高) 仪器重量: 7 kg | | 实验技术 扫描探头技术： 表面成象处理 (SPC) 探头扫描曲线 (PSC，X，Y，Z方向) 探头逼近曲线 (PAC) 扫描电化学显微镜 (SECM) PSC和SECM允许电流，电位，常电流，阻抗检测 电位扫描技术: 循环伏安法 (CV) 线性扫描伏安法 (LSV) TAFEL图 (TAFEL) 电位阶跃和脉冲技术: 计时电流法 (CA) 计时电量法 (CC) 阶梯波伏安法 (SCV) 差分脉冲伏安法 (DPV) 常规脉冲伏安法 (NPV) 差分常规脉冲伏安法 (DNPV) 方波伏安法 (SWV) 交流技术: 交流伏安法 (ACV) 二次谐波交流伏安法 (SHACV) 傅里叶变换交流伏安法 (FTACV) 交流阻抗 (IMP) 交流阻抗-电位 (IMPE) 交流阻抗-时间 (IMPT) 恒电流技术: 计时电位法 (CP) 电流扫描计时电位法 (CPCR) 多电流阶跃 (ISTEP) 电位溶出分析 (PSA) 其它电化学测量技术: 时间-电流曲线 (i-t) 差分脉冲安培法 (DPA) 双差分脉冲安培法 (DDPA) 三脉冲安培法 (TPA) 积分脉冲电流检测 (IPAD) 扫描-阶跃混和方法 (SSF) 多电位阶跃 (STEP) 流体力学调制伏安法 (HMV) 控制电位电解库仑法 (BE) 电化学噪声测量 (ECN) 各种溶出伏安法 开路电位-时间曲线 (OCPT) 实验参数 CV和LSV扫描速度： 0.000001V/s 至 10,000 V/s，双通道同步扫描及采样至10,000 V/s 扫描时的电位增量：0.1 mV （当扫速为 1,000 V/s时） CA和CC的脉冲宽度： 0.0001 至 1000 sec CA的Z小采样间隔： 1 ms， 双通道同步 CC的Z小采样间隔： 1 ms CC模拟积分器 DPV和NPV的脉冲宽度：0.001 至 10 sec SWV频率： 1 至 100 kHz i-t 的Z小采样间隔： 1 ms， 双通道同步 ACV频率范围：0.1 至 10 kHz SHACV频率范围：0.1 至 5 kHz FTACV频率范围：0.1 至 50Hz，可同时获取基波，二次谐波，三次谐波，四次谐波，五次谐波，六次谐波的ACV数据 交流阻抗： 0.00001 至 1 MHz 交流阻抗波形幅度： 0.00001 V 至 0.7 V 均方根值 |
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