干法刻蚀

在半导体制造中，干法刻蚀是用来去除表面材料的主要的刻蚀方法。干法刻蚀是把硅片表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口与硅片发生物理或化学反应，从而去掉暴露的材料。

一个等离子体干法刻蚀系统由发生刻蚀反应的反应腔、一个产生等离子体的射频电源、气体流量控制系统、去除刻蚀生成物和气体的真空系统等组成。刻蚀反应系统包括传感器、气体流量控制单元和终点触发探测器。一般的干法刻蚀中的控制参数包括真空度、气体混合组分、气流流速、温度、射频功率和硅片相对于等离子体的位置。常用的干法等离子体反应器类型包括圆筒式等离子体反应器、平板式反应器、顺流刻蚀系统、三级平面反应器、离子铣、反应离子刻蚀器、高密度等离子体刻蚀机等。