刻蚀工艺

刻蚀是用化学或物理的方法有选择地从硅片上去除不需要材料的过程。刻蚀是在硅片上进行图形转移的后主要工艺步骤。半导体刻蚀工艺有两种基本方法：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的主要方法，湿法腐蚀使用液体腐蚀的加工方法，主要用于特征尺寸较大的情况。

按照被刻蚀材料来分，干法刻蚀主要分成：金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形刻蚀可用来在硅片上制作不同图形，例如栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀用于剥离掩蔽层。有图形或无图形刻蚀都可以分别采用干法刻蚀或湿法腐蚀。

刻蚀的主要工艺参数有：刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差、选择比、均匀性、残留物、聚合物、等离子体诱导损伤、颗粒玷污和缺陷。