利普思获1亿元融资年内将打造IGBT和SiC模块生产基地

2023-03-18 14:11:49来源：仪表网阅读量：112 评论

导读：资金将主要用于利普思在无锡和日本工厂产能的提升，扩大研发团队，以及现金流储备。

　　【仪表网企业动态】3月17日，无锡利普思半导体有限公司(以下简称“利普思”)完成金额1亿元人民币的Pre-B轮融资，由和高资本领投，上海瀛嘉汇及老股东联新资本跟投，资金将主要用于利普思在无锡和日本工厂产能的提升，扩大研发团队，以及现金流储备。

　　资料显示，无锡利普思半导体有限公司致力于碳化硅等功率半导体的研发、生产与销售，提供完整的模块应用解决方案。满足高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体模块需求。

　　其主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块。产品应用于新能源汽车、智能电网、可再生能源、工业电机驱动、医疗器械、电源等场景和领域；公司总部位于中国无锡，并在日本设有研发中心。

　　据市场研究机构TrendForce预测数据，从2020年至2025年，SiC的市场将从6.8亿美元(约43.3人民币)增长到33亿美元(约216亿人民币)，年复合成长率(CAGR)为38%。而我国功率半导体市场需求占全球超1/3，但高端领域的功率器件国产化非常低，基本仍依赖国外进口，大部分市场都被英飞凌、三菱等巨头瓜分。

　　目前，利普思模块产品的性能和品质已达到国际品牌水平，并进入海外市场。今年，海外市场是利普思业务布局的主战场，营收也主要来源于出口业务。为了更好地支撑海外业务的扩展，除了日本研发中心和销售团队外，去年底利普思在欧洲成立了意大利销售中心，进一步加速国际化布局。

　　据悉，2023年，利普思将全面扩充乘用车、商用车、氢燃料电池、充电桩、光伏/储能、特高压等各大产品线。不仅如此，公司还计划在国内建立一个百万级IGBT和SiC模块的生产基地，产能预计将实现十倍增长，预计于明年年底投产，以更好地满足未来SiC模块更大的市场需求。

　　相关领域的投资人士表示，SiC作为新兴的第三代半导体材料，可助力功率模块突破传统硅基材料的性能瓶颈，广泛应用于大功率的新能源场景，是高景气高成长赛道，SiC产业已迎来高速发展期。

　　资料来源：36kr、利普思、TrendForce

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