FEI Prisma E SEM 扫描电子显微镜

结合了成像性能和的环境模式（Thermo Scientific ESEM™），同时兼容广泛的硬件和软件选型，可满足多用户实验室的综合应用需求。

Prisma E SEM 的三种真空模式（高真空、低真空和环境扫描模式【ESEM】）使得系统具有灵活性，可以容纳任何 SEM 可用的广泛的样品类型，包括放气的、未镀导电膜的或者是与真空状态不相容的样品。

多种检测器选项（定向背散射探测器、STEM、荧光探测器等）提供了所有必要的样品信息。探测器信号同步采集和显示，可以在较短的时间内提供答案。

主要优势

1、在自然状态下对材料进行原位研究： Prisma E SEM提供的环境扫描模式（ESEM）。

2、较大程度缩短样品制备时间：低真空和环境真空技术可针对不导电和/或含水样品直接成像和分析，样品表面无荷电累积。

3、观察所有样品获取信息：在每种操作模式下均可同时进行SE和BSE成像。

4、原位分析：配置专门的原位实验台，温度范围从-165℃到1400℃。

5、优越的分析功能：大样品仓可同时安装3个EDS探测器、WDS和共面EDS/EBSD，其中两个EDS端口为180°正对。

6、优越的不导电样品分析功能：借助多级“穿过透镜"的压差真空系统，实现低真空下的高质量EDS 和 EBSD 分析。

7、高精度优中.心样品台，105°倾斜角度范围，可观察样品。

8、软件直观、简便易用，配置用户向导及 Undo（撤销）功能，新手用户可进行操作，专家用户也可进行更少的操作，完成快速分析。

9、广泛的配置选项，包括可伸缩的RGB荧光（CL）探测器、1100℃高真空热台、_Heater 和Autoscript（基于Python的脚本工具API）。

材料科学SEM

对于需要方位性能和易用性的多用户实验室而言，完整的SEM。

新型Prisma E扫描电子显微镜（SEM）将各种成像和分析模式与新的*自动化相结合，为同类仪器提供完整的解决方案。它非常适用于需要高分辨率，样品灵活性和易于使用的操作界面的工业研发，质量控制和故障分析应用。Prisma E成功获得了为成功的Quanta SEM。

特色的成像

多用户实验室需要显微镜在短时间内生成具有相关数据的高质量图像。Prisma E采用基于管组件的强大成像系统满足了这一需求，可在各种光束能量和真空条件下提供好的结果。在所有这些条件下，地形图和成像图都提供必要的样本信息。通过同步采集，该信息可供随后进一步解释和分析。

轻松导航

寻找感兴趣的区域甚至找到样品本身都是一项繁琐的工作……但不是在Prisma E上。室内导航相机（Nav-Cam）提供样品架的详细照片，使其易于使用一个会话中的多个样本并逐个导航到它们。在示例中，只需单击它即可转到感兴趣的区域。导航凸轮图像与样本一起旋转，因此导航非常直观。

样本灵活性

今天的研究超越了传统金属和涂层样品 – 非导电材料，大型或重型样品，脏样品甚至湿样品都需要在微观尺度上进行研究。Prisma E具有三种成像模式 – 高真空，低真空和ESEM™ – 适用于任何SEM的广泛样品。此外，Prisma E的腔室适合大样品，并配备110×110 mm 5轴电动中.心平台，倾斜范围为105°，可以从各个角度观察样品。

支持分析

Prisma E的分析室支持对元素（EDX，WDS）和晶体学（EBSD）样品数据的日益增长的需求，该分析室支持多个EDX检测器以提高通量并清除阴影效应。此外，分析室支持共面EDX / EBSD和平行光束WDS，以确保所有技术的定位。得益于Prisma E的原位功能，即使在绝缘或高温样品上也能获得可靠的分析结果。
光子学，地球科学，陶瓷，玻璃和故障分析应用的附加样品信息来自的可伸缩RGB发光检测器。

典型应用包括：

1、纳米表征:

– 金属及合金、断口、焊点、抛光断面、磁性及超导材料

– 陶瓷、复合材料、塑料

– 薄膜/涂层

– 地质样品断面、矿物

– 软材料：聚合物、药物、滤膜、凝胶、生物组织、植物材料

– 颗粒、多孔材料、纤维

2、原位表征:

– 结晶/相变

– 氧化反应、还原反应、催化反应

– 材料生长

– 水合/脱水/润湿/接触角分析

– 拉伸 (伴随加热或冷却)

技术参数：

1、电子光学：

1）发射源：钨灯丝（高性能电子光学镜筒，双阳热发射电子枪）

2）固定式物镜光阑，无需手动调整使用方便

3）加速电压：200V – 30kV，自动256级偏压设计

4）放大倍数：6x – 1,000,000×

5）有一路单独抽真空系统，保证在低真空和环境模式下电子枪高真空和不受污染，延长灯丝寿命

6）使用工厂预对中灯丝更换方便

2、真空系统

1）1个250 l/s分子涡轮泵+1个机械泵

2）高真空模式：＜1×10-5 Pa

3）低真空模式：10 – 130 Pa

4）环境真空模式：10 – 2600 Pa

5）高真空模式下的换样时间：≤150秒

6）低真空及环境真空模式下的换样时间：≤270秒

3、电子束分辨率

A：高真空模式下成像

1）30 kV下3.0 nm （SE二次电子）

2）30 kV下4.0 nm （BSE背散射电子）

3）3 kV下8.0 nm （SE二次电子）

B：电子束减速下高真空模式下成像

1）7.0 nm @ 3 kV （电子束减速模式 + DBS）

C： 低真空模式下成像

1）3.0 nm @ 30 kV （SE二次电子）

2） 4.0 nm @ 30 kV （BSE背散射电子）

3）10 nm @ 3 kV (SE)

D：环境模式下成像

1）30 kV下3.0 nm （SE二次电子）

4、样品仓

1）内宽：340 mm

2）分析工作距离：10 mm

3）端口：12

4）EDS 出射角：35°

5）可同时安装三个 EDS 探测器，其中两个处于 180°正对

6）共面 EDS/EBSD ，与样品台倾斜轴垂直

7）通用 9 针电气接口