单点少子寿命测量仪系统是经济型晶圆寿命测量仪器,对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。单点少子寿命测量仪可测量小于156mm厚度的晶锭,没有自动化配置,手工操作。可增配电阻率测试功能,适合硅，晶圆片和晶锭寿命测量。
单点少子寿命测量仪特点
无接触和非破坏的电学参数测试
对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的分辨率
对于不同级别晶圆片，提供不同的菜单选项
单点少子寿命测量仪优势
用于不同制备阶段，从成体到最终器件，多晶硅或单晶硅单点测量载流子寿命的台式装置。
体积小，成本低，使用方便。拥有一个基本的软件，结果可视化。
适用于晶圆片到晶锭，易于高度调整。
单点少子寿命测量仪技术参数
| 样品 | 不同工艺处理样品，如钝化或扩散后的单晶或多晶硅晶圆、晶锭、电池等 |
| 样品尺寸 | 50 x 50 mm² 到12“ 或210 x 210 mm² |
| 电阻率 | 0.2 - 10³ Ohm cm |
| 材质 | 硅晶圆，晶锭，部分或全部加工晶圆，化合物半导体和其它类型 |
| 少子寿命检测范围 | 20ns到几十ms |
| 尺寸 | 360 x 360 x 520 mm，质量：16 kg |
| 电源 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
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