产品详细描述

原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两种前驱体物种，化学吸附直至表面饱和时就自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件的工具。 


 

产品规格
Wafer尺寸: 50--200mm (2--8)，300mm (12)可选配 
工作温度: 100—400摄氏度 (500摄氏度可选) 
真空腔体尺寸: 250, 320, 400mm 
反应腔体: 具有大,中,小三种 
反应腔体材料: 316SS,Ti,Ni,Al,石英
前驱体源: 2--4种，可为固体/液体/气体 
样品载台: 气动式移动
 
 

14、结论与展望

   A、ALD技术是目前被半导体工业采纳应用的成熟薄膜沉积技术；B、存在其他的商业领域；C、ALD在纳米技术领域中存在广泛的应用；D、ALD技术在光伏产业拥有*的应用潜力；E、ALD生在的表面控制特性使得在三维基体上严格的均匀生长薄膜成为可能性。