PECVD系统由管式炉，石英真空室、真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。
PECVD系统主要应用于金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，石墨烯等生长。
PECVD系统增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能，PECVD系统薄膜沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高等优点。
PECVD系统主要特点：
通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
PECVD系统技术参数：
炉膛尺寸 60/80/100/120*400mm（直径*加热区）
机器电源 AC220V，50/60Hz；额定功率5kw
炉体结构 双层壳体风冷结构
炉膛材质 真空吸附成型的优质高纯氧化铝纤维固化炉膛，保温性能好
炉膛设计 炉体采用台阶式拼装构造，炉门和炉门框采用整体设计，有效的保证了炉膛的不塌顶，炉门和炉门框的紧密配合使热能不易散失和增长了炉门部分的使用寿命。
温控系统 温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制30段升降温程序；控温精度±1℃
真空度 10-1pa
显示模式 宇电数显
加热元件 电阻丝
测温元件 K型热电偶，测量范围[0-1300°C]
使用温度 温度1200℃，连续工作温度≤1100℃
升温速度 推荐≤10℃/min，升温速度15℃/min
外形尺寸 以设计为准
标准配置 主机1台，真空机组一套，射频电源1套，供气系统1套，坩埚钳1把，高温手套一副、说明书、合格证、保修卡各1份
PECVD系统射频电源技术参数
| RF射频电源主要技术参数 | 功率输出范围 | 0-500W |
| 反射功率 | 200W | |
| 工作频率 | 射频：13.56MHZ±0.005% | |
| 功率稳定度 | +/-0.1% | |
| 谐波分量 | ≤-50dbc | |
| 射频区域宽度 | 0-600mm 可调 | |
| 匹配方式 | 自动 | |
| 冷却方式 | 风冷 | |
| 噪声 | <50dB | |
| 射频接口 | 50Ω N-type | |
| 输入电源 | 208-240V 50/60HZ |
PECVD系统供气系统技术参数
| 质量流量计 | 量程和气体 | 5、10、20、30、50、100、200、300、500SCCM、1、2、3、5、10SLM （你可以任意选择以上量程和所通气体的类型） | |
| 耐压 | 3MP | ||
| 流量控制精度 | ±1.0%F.S | ||
| 工作（使用）压力 | 0.3MPa | ||
| 线性 | ±0.5%F.S. | ||
| 重复精度 | ±0.2% F.S | ||
| 路数 | 1 、2、3、4、5、6、7、8 路（可任意选择几路） | ||
| 接头类型 | 双卡套不锈钢接头 | ||
| 系统工作压力范围 | 0.1~0.5 MPa | ||
| 工作温度 | 5-45℃ | ||
| 压力真空表 | -0.1~0.15MPa 0.01MPa/格 | ||
| 静态混气室 | Dia50 X 400MM | ||
| 接口 | Dia6 / 1/4" | ||
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