简介：
1、本系统应用范围：应用半导体、太阳能、微电子产业、发光产业及实验室科学实验；
2、本系统主要用途：用于制备导电薄膜，半导体薄膜、光学薄膜、有机物薄膜及扫描电镜等；通过控制蒸发源挡板的开关可以实现镀制多层膜、单质膜、及复合薄膜。
主要技术性能指标：
1、蒸镀室极限真空度：
蒸镀室极限真空度：5.0×10-5Pa；
系统漏率：≤1×10-7PaL/S；
压升率：停泵关机12小时后真空度小于等于5Pa；
抽速：工作真空从大气抽至8×10-4Pa≤30min；
2、蒸镀室内径尺寸约为：?300×360（mm）；
3、电阻蒸发源：共两个蒸发源；两组控制电源，功率为2000w，带有电动控制挡板；
蒸发距离：100-260mm连续可调；
4、样品尺寸：120mm*120mm，一次可放1片；
5、工件架：安装在真空室上盖上，适合于不同尺寸或不同类型的平面样品；样品架可以连续旋转，转速为0-60转/分连续可调，
6、样品加热：加热温度为500℃，采用加热炉为固定不动方式，样品架连续旋转，保证加热的均匀性；数显控温，温度在500℃以内可以随意设定，控温精度±1℃；
7、系统具有膜厚监视系统且膜厚测试仪有挡板系统，膜厚分辨率为1挨；
8、在样品与蒸发舟之间靠近样品位置安装掩膜板，掩膜板安装架固定在真空室上盖上，掩膜板厚度1.5mm；
9、设备具有断水断电以及突然暴露大气真空连锁保护功能；
10、系统配有冷却循环水，为分子泵、真空室、蒸发源、膜厚测试仪等冷却，到实验室后只需接上水源即可工作；
三、主要组成及实施方案：
该设备主要由蒸发镀膜室、真空抽气及测量系统、电阻蒸发源及控制电源、样品台及控制系统、石英振荡膜厚监测系统、样品加热及控制系统、电控系统以及辅助系统等组成。
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