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半导体元器件参数测试仪 ISTMODEL878

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:ISTMODEL878
  • 品牌:
  • 产品类别:气体检测仪
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2022-06-12 23:00:03
  • 浏览次数:10
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产品简介

ISTMODEL878半导体元器件参数测试仪自动识别管脚极性和排序\漏电分辩,高压偏置,阻抗测量.分立/在板检测. ISTMODEL878半导体参数测试仪.ISTMODEL878半导体元器件参数测试仪.ISTMODEL878半导体参数测试仪.半导体参数测试仪.半导体元器件参数测试仪.ISTMODEL878半导体参数测试仪.ISTMODEL878半导体元器件参数测试仪

详情介绍
ISTMODEL878半导体元器件参数测试仪

ISTMODEL870/ISTMODEL878手册式
各种半导体器件快速检测/参数分选测试仪
自动识别管脚极性和排序漏电分辩1NA,高压偏置1099V,阻抗测量1TΩ.分立/在板检测.世界上**台,****.
(一). ISTMODEL870半导体元器件参数测试仪可对半导体各种元器件提供一个快速完整的检验,使用者可以任意方向及排列插入被测件(插错插反均可),只需按下二个健即可快速测知该元件的功能好坏, 自动识别各管脚的极性和排序及有无漏电流的可能性. 其主要的设计目的是针对一般的使用者不必对被测元件的规格参数及所须的条件有所认识,亦不须费时的输入各项测试数据.
870的漏电流量测均是各元件在使用上*常用且重要的参数.计有下列各种:
三极管(Ices):集电极至发射极间的漏电流,此时基极与发射极短路以避免电路板或线路上的杂迅干扰.
二极管(Er):阳极至阴极反向偏压时的漏电流.
模式管MOSFET(IDss):由DRAIN极至SOURCE极间的漏电流,此时间极(GATE)SOURCE短路.
可控硅(IDRM):由阳极至阴极正向偏压的漏电流,当此元件(闸流体)处于截止状态下场效应管J-FET(IGss):闸极反向偏压的漏电流DRan,SOURCE短路.
光电偶合器(Iceo):输出端NPN三极管集电极至发射极间的漏电流,此时基极处于开路状态.
(二). ISTMODEL870在漏电流上的测试原理:是以固定低电压源(30V)为偏压,当元件处于截止状态时加在其对应的管脚上,另一端则串入一*灵敏度的电流计,可由(nA)纳安,(uA)微安至(mA)毫安共6档,可全自动换档量程为0纳安---40毫安.*高分辩力1nA.
一般良好的半导体元件,当加在其上的电压接近或超越其崩溃电压时,其漏电流才会急促的加大.30V的电压对一般中小功能的元件来说其漏电电流是很小很小的(<50na),若测试结果达到微安(uA)或毫安(mA)级,而已知的良品却很小,对应比较下,可大致确认此被测件已呈老化(DEGENERATION)或处于击穿(DEGRAKE)的状态,但在功能上还是能工作的不佳品,此种元件工作一久,温升加大,漏电流更大直至烧毁为止.因此半导体的漏电流大小是*能影响其电路功效和使用年限,代表其品质优劣的主要因素,尤其对于一些用在高压,高速开关上的元件至为重要.
该漏电流的上限可由同一型号已知的良品测量值为准或参考元件的规格来判定. 870的漏电流测试由于电压源的限制,可测知被测件有否漏电的问题,而不像878可测至一般良品的*高耐压或漏电流的极限值,此仍是二者在此功能上的*大不同之处.
(三). ISTMODEL870除了对三极管,二极管,模式管场效应管及可控硅,以300uS的脉冲,进行动态的功能测试,若测试通过,则自动进行漏电流测量,元件可任意的方向插入测试座,不必事先去辨认元件各脚的功能极性或排列顺序.相同的方式,对稳压二极管或正/负稳压源进行输出电压的测量.由于ISTMODEL870在价格上的优势及全自动智能化的设计,极适合一般技术维修人员操作,当补拆下的怀疑元件放入测试后,可确信问题是否已被排除,做为一些维修站的基本配置势必可行.
(四). 当元件被焊在电路板上时可以三点探测器进行在线测试,此方式*适合于表面粘的元件,首先须调整镊子般的探笔,使其侧置其上,以大姆指侧压笔身,食指置于笔上的按键上,再移动短探棒至被测件的第三点上,当确认每点都通过或漏电流值太大时很有可能是由于线路上其他元件所造成,使用者须检查电路图或板上的连接状况再下定论.在板检测时,ISTMODEL870
上是以低压进行的,当不用时探笔须折除以负影响.
ISTMODEL878各种半导体器件快速检测参数分选测试仪
(一). ISTMODEL878半导体元器件参数测试仪面板上的开关置于 FUNCTION 时它在使用上及各项功能就*与ISTMODEL870相同,可快速便捷的检测元件而不须对此元件各项参数及相关数据的了解,若须进一步测试分析其他参数或须知参数在一特定条件下测量值时,就必须将此开关置于 PARAMETER 上,则ISTMODEL878成为半导体器件在截止状态下(OFF-STATE)的参数测量仪了,其可测试的参数如下:
元件种类
漏电流参数
崩溃电压
三极管
Ices,Iceo,Icbo
BVces,BVceo, BVcbo
二极管
Ir
BVr
模式管
IGss, IDss
BVdss
可控硅
Idrm
BVdrm
场效应管
IGss,IDss
N/A
光偶合器
Iceo
N/A
本机在此时其电流计的精度,范围与档位*与ISTMODEL870相同由0nA(纳安)-40mA(毫安)共6档.偏压电压,为二种*可程控的电压源0-30V,及30V-1099V.
(二). ISTMODEL878半导体元器件参数测试仪在测漏电流时,本机要求输入偏压有高电压档的(30V-1099V)及(0-30V)的低电压,由(0nA-40mA),使用者须对被测件的规格指标有一定的了解,以便测知其*大极限值,若所给的电压过高多余降在限流电阻上,所以实际加在元件上的电压与使用者先设定的电压会有不同,但本机会将此电压与流过的漏电流实际量测显示出来,以提供*真实**的结果.在崩溃电压的测量过程中由于所设定的电流值过高,以致高压源升得过高而造成元件的二次崩溃,本机可自动侦测并实际量测出来,如此可以避免由于使用者输入过高的测试条件而造成被测件或仪器的受损.

(三). 当面板上的开关置于功能上时ISTMODEL878就变为***的ISTMODEL870,所有的功能及操作方式都相同,若置于参数这边,则ISTMODEL878就为一个功能强大的21种参数测量仪,如果测试结果的上限或下限数据被输入本机的话,则它可成为一个自动辨别好与坏的测试仪.(GO/NO GO TESTER).878除了可程控的偏压可达1.099VOLT的漏电流量测及快速的崩溃电压搜寻外,尚可量二极管在50mA-1A的恒电流源下的导通压降(Vf ILEAK)此项功能测量任二点的漏电流数值同时显示所加在其上的电压,由此二数据可由欧姆定律R=V/I 算出此二点间的阻值.因此可用于侦测在某一设定的偏压下任二点的漏电流,或可测量一个器材或设备的输入阻抗(1T欧).如;线缆,探头,开关,电路板,联接器,绝缘材料等.



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