可控硅结合参数测试仪。可测量晶闸管的通态，短态，触发电压，维持电流，维持电压等参数。
HB2931B型晶闸管综合参数测试仪是用于测量晶闸管的通态，断态门极常用静态参数的综合性参数测量仪器。参数测量原理符合GB4024-83半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法有关规定。本仪器的设计兼顾了SJ1105-76半导体闸流管断态和反向伏安特性的测试方法，SJ1106-76半导体闸流管通态特性的测试方法，SJ1107-76半导体闸流管控制极触发电压，触发电流的测试方法，SJ1110-76半导体闸流管维持电流的测试方法，JB1144-75、JB1143-75的基本要求，在测量电源及参数指示电表的设计上满足上述标准中对电量及峰值测量的要求，为此具有较强的适应能力，可以满足不同使用要求的参数测量。本仪器的图示装置可以显示被测管的伏安特性曲线。
一、技术指标：
本仪器可以测量下列参数
1、通态峰值电压 VTM
测量范围 0~5V 误差≤+5%
2、通态峰值电流 ITM
测量范围 0~20A 误差≤+5%
3、断态重复峰值电压 VDRM（含VDSM）
测量范围 0~2000V 误差≤+5%
4、断态重复峰值电流 IDRM
测量范围 0.1~20mA 误差≤+5%
5、反向重复峰值电压 VRRM（含VRSM）
测量范围 0~2000V 误差≤+5%
6、反向重复峰值电流 IRRM
测量范围 0.1~20mA 误差≤+5%
7、门极（控制极）触发电压 VCT
测量范围 0~3V 误差≤+5%
8、门极（控制极）触发电流 IGT
测量范围 10~200mA 误差≤+5%
9、维持电流 IH
测量范围 10~200mA 误差≤+5%
本仪器可以测量下列参数
1、通态峰值电压 VTM
测量范围 0~5V 误差≤+5%
2、通态峰值电流 ITM
测量范围 0~20A 误差≤+5%
3、断态重复峰值电压 VDRM（含VDSM）
测量范围 0~2000V 误差≤+5%
4、断态重复峰值电流 IDRM
测量范围 0.1~20mA 误差≤+5%
5、反向重复峰值电压 VRRM（含VRSM）
测量范围 0~2000V 误差≤+5%
6、反向重复峰值电流 IRRM
测量范围 0.1~20mA 误差≤+5%
7、门极（控制极）触发电压 VCT
测量范围 0~3V 误差≤+5%
8、门极（控制极）触发电流 IGT
测量范围 10~200mA 误差≤+5%
9、维持电流 IH
测量范围 10~200mA 误差≤+5%
二、使用条件
使用仪器时，应符合下列条件
环境温度： 0~40℃
大气压力： 86~106Kpa
相对湿度： 当温度为30℃时，不大于80%
电源电压： 220V + 10%
电源频率： 50HZ + 2HZ
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