薄膜变温电阻测试仪（TRT）薄膜检测 返回列表页

薄膜变温电阻测试仪（TRT ）
本仪器由高精度电阻测试仪、温度测试仪、高斯计、变温样品炉、四端测试组件、数据采集软
件和数据采集处理计算机几个部分组成。

产品特点

 采用高精度电阻测试仪和温度测试仪测量材料电阻 R 随温度 T 的变化；
 采用 Helmholtz 线圈提供均匀的磁场，用它可以产生极微弱的磁场直至数百 Gs 的磁场。用四
端法测量样品电阻随温度的变化，可减小接触电阻对测量的影响，提高测量精度；
 采用氮气保护，可连续测量样品在-100~800℃范围内电阻随温度的变化；
 采用流行的 USB2.0 接口与计算机相连，数据采集迅速准确；
 用户界面直观友好，方便用户使用。

技术参数
温度范围           -100~800  ℃
磁场变化范围       0~1.3T
电阻测量范围       1μΩ~3MΩ，准确度：± 0.1％FS
温度测量精度       热电阻 0.1% ± 0.1℃；热电偶 0.5% ± 0.5℃
恒流源             1μA~1A，准确度：± 0.1％FS（FS 为满量程值）
供电电源           220 V AC
额定功率           < 2000W

应用
 金属、半导体、导电高分子薄膜（或块材）电阻率和磁阻的测量
 金属薄膜材料的电阻率，磁阻的测量（zui大厚度 0.2 毫米）
 金属块体材料电阻率的测量（zui大厚度 3 毫米）
 磁性合金薄膜的磁电阻测量
 铁磁/非铁磁/铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量
 自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型磁电阻薄膜的磁电阻测量