薄膜及块体塞贝克（seebeck） 系数和电阻率检测 热电参数测试系统Namicro-Ⅲ 返回列表页

薄膜及块体塞贝克（seebeck） 系数和电阻率检测 嘉仪通 热电参数测试系统Namicro-Ⅲ

   本仪器采用准动态法（具有技术）和四探针法分别测量样品的 seebeck 系数和电阻率。不仅可用于测量半导体块状样品，康铜、镍、铋等金属半金属样品，石墨、碳材料等非金属样品的seebeck 系数和电阻率，还可测薄膜（纳米）样品的 seebeck 系数和电阻率。

*优势

拥有独立知识产权，获得多项技术；

动态法测量 seebeck 系数，避免了传统静态测量法在温差测量方面的系统误差，测量更准确；

seebeck 系数和电阻率测量不共用电压探针，避免出现微型热电偶断裂失效的问题；

采用双向加热系统；

自动断电保护；

附有薄膜附件（无需主机，直接使用），可直接测量膜材料常温下的 seebeck 系数和电阻率。

特点

硬件设计 
1.动态法测量塞贝克系数，避免了静态测量法在温差测量方面的系统误差，测量更准确。 
2.塞贝克系数测试采用双向加热技术，可实现双向加热动态测量。 
3.电阻率测量和塞贝克系数测量不共用电压探针，避免了当前其它产品经常会出现的微型热电偶断裂失效的问题。 

软件设计 
1.界面友好，操作方便。可实时显示采集数据、测试状态以及测试结果。
2.高度自动化。既可以全自动测量，也支持半自动和手动采集测量。全自动测试时，只需设置起始温度、终了温度以及测试步长三个值即可，温度曲线设置大为简化。 
3.数据采集处理实时显示，通过软件读取数据文件可一目了然地查看测量数据质量。 
4.测试结果存储在以测试者名字命名的文件夹内、文件名涵盖样品以及测试时间信息，数据查看一目了然。数据存储为“.  txt"格式，可以和各种办公软件如 Excel、Origin 等数据共享。

技术参数

注：对于薄膜样品，目前只能测常温下的 seebeck 系数与电阻率，故无需真空与 PID 程序控制。

样品要求

块体：可直接切割加工处理，完成加工后具备平整上下端即可，其尺寸满足前述长宽高要求的长方体

  若样品表面有腐蚀或氧化等杂质层覆盖，需对样品表面进行抛光处理，使材料裸露出来且保证接触良好

薄膜：满足上述尺寸要求， 待测面平整， 薄膜均匀性好， 保证与康铜片接触良好， 厚度zui低可至 100nm，其均匀性有较高要求，薄膜厚度达到微米级较好

  薄膜材料的衬底需选择电阻率较大或绝缘材料为宜，如玻璃、Si 等材料

测试样例