离子铣削系统 返回列表页

这套离子铣削系统是为SEM和EBSD用户的斜度切削制样和无损表面抛光制样而设计多功能离子束铣削系统,ion  milling system, 是SEM扫描电镜位点特异性样品制备的理想离子铣削仪器装置和离子坡度切削仪器。
离子铣削系统特点
易于使用和自动化操作
市场上较为广泛的能量范围100eV-16keV
*的预倾斜斜度切削样品架（30°，45°，90°）
加载锁定系统，用于快速交换样品
液氮或Peltier制冷冷却选项
 
使用方便
高级用户界面提供从初学者到专家用户的较佳操作模式。 全自动，基于配方的操作提供几乎无干扰的样品制备。 用户可以无限制地创建，编辑，保存和加载多个配方。 自动化软件可以根据客户的应用和需求包括预先设定的方法。
 
“快速无损伤”
两个独立的离子源在市场上提供较广泛的能量范围。 在超高能量范围（10keV以上）可以达到*的溅射速率（530μm/ h）。 经过快速切削后，低能离子源的清洗能力提供了平滑无损的样品表面。
 
样品冷却
为了满足所有可能的需求，提供了两种不同的冷却方式：
建议使用液氮冷却用于热敏或冷冻标本。 使用此选项，样品温度可以显着降低并控制在零度以下。
Peltier冷却是一种舒适的防过热保护，有助于将样品保持在室温附近。
 
快速和机动化的样品交换
负载锁定和电动样品台驱动系统提供了快速简单的样品交换，尽可能少的用户交互。 负载锁定可保护工作室中的真空水平，为重型用户节省大量时间和精力。
 
*的样品台范围
为提供较佳配置提供了广泛的样品架种类。
对于倾斜切割，可提供30°，45°和90°预倾斜的样品台。
对于高级用户和特殊应用，建议使用2μm精度的电动样品架。
新一代的表面抛光样品架（例如EBSD）提供了令人印象深刻的铣削面积，并且即使对于工业用户也可以接受大样品。
 
描述
用于SEM应用中高质量的位点特异性样品制备
通过不同样品架在90°，45°和30°的斜度切削进行横截面样品制备
终抛光和清洁传统的SEM和EBSD样品
加载锁定系统，用于更快更容易地进行样品交换
高能离子枪快速铣削
可选的超高能离子枪特别*用于离子铣加工硬质材料或极速铣削
低能离子枪，用于温和的表面抛光和清洁
自动参数设置和操作
样品旋转和振荡
通过高分辨率CMOS相机和TFT显示器实时监控铣削过程
 
描述
配备了高能量和低能量离子源。用高能离子枪进行快速斜度切削，然后用低能离子枪进行温和的表面清洁，提供适用于半导体故障分析和其他分析目的的横截面SEM样品。该系统还提供了基于离子铣削的解决方案，用于改进和清洁机械抛光的SEM样品，并为EBSD技术制备无损伤表面。新的16 keV超高能离子源比以前更强大，具有更高的溅射速率。
 
产品规格
离子源
两个离子枪：
集中的高能离子枪操作从10 keV或
可选的超高能离子枪，可操作高达16 keV
聚焦低能离子枪的范围为100eV至2keV
光束电流密度：
较大。聚焦高能离子枪为100 mA /cm²
较大。 150 mA /cm²超高能离子枪
较大。用于聚焦低能量离子枪的10 mA /cm²
溅射速率：
聚焦高能离子枪30°C时Si为150μm/小时
超高能离子枪30度时Si为550微米/小时
聚焦低能离子枪30°C时Si为28μm/小时
样品定位台和样品台
样品量：
斜度切削样品台（可提供30º，45º，90º倾斜平台）
30º，45º持有人：较大大20 mm（l）x 16 mm（w）x 7 mm（th）
90º持有人：较大20 mm（l）x 16 mm（w）x 5.5 mm（th）
用于表面清洁的样品架（EBSD）使用3种不同的头型：
平头型：较大Ø36mm x 0-5.5 mm
标准型：较大Ø26mm x 3-14 mm
中空型：较大Ø24mm x 13-19 mm
样品倾斜：0º至30º，以0.1º为增量
样品旋转：平面内旋转360º（仅适用于表面清洁样品架）
样品振荡：10°步进的+10º至+40º的平面内振荡
样品冷却
LN2冷却用于制备热敏样品 - 可选
Peltier冷却保护样品免受热量超限 - 可选
真空系统
无油隔膜和涡轮分子泵（Pirani / Penning）真空计
供气系统
99.999％纯度的氩气
高精度工作气体流量控制与电动针阀
成像系统
高分辨率CMOS相机，手动变焦视频镜头为50-400x放大倍数
电脑控制
易于使用的图形界面，自动离子源设置，铣削参数设置和操作控制