Q:283-817-7655

Rockwell 817-E1

Rockwell 817-E2

Rockwell 825-MCM180

Rockwell 825-MCM20

Rockwell 193-NCCM-DNT-CNT

Rockwell 193-NCIO-22A-CNT

Rockwell 193-NCIO-22D-CNT

Rockwell 193-NCIO-43-CNT

Rockwell 193-NCIO-63-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-22-CNT

Rockwell 193-NCIOGP-42-CNT

Rockwell 825-CBCT

Rockwell 809S-C1-10A-230

Rockwell 809S-C1-10A-48

Rockwell 813S-V1-500V-230

Rockwell 813S-V1-500V-48

Rockwell 813S-V3-110V

Rockwell 813S-V3-230V

Rockwell 813S-V3-400V

Rockwell 813S-V3-480V

Rockwell 813S-V3-690V

Rockwell 814S-PF3-480V-10A

Rockwell 814S-PF3-690V-10A

Rockwell 814S-W3-480V-10A

Rockwell 817S-PTC-115

Rockwell 817S-PTC-230

Rockwell 817S-PTC-48

ASO SK 41-32 安全继电器

ASO SK 41-32 安全继电器

随着人们对于能源问题的认识不断加深，场效应管（如CMOS）技术凭借更低的功耗，

在数字集成电路中逐渐成为主流，双极性晶体管在集成电路中的使用由此逐渐变少。但是应当看到，即使在现代的集成电路中，双极性晶体管依然是一种重要的器件，市场上仍有大量种类齐全、价格低廉的晶体管产品可供选择。与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET，它是场效应管的一种，另一种为结型场效应管）相比，双极性晶体管能提供较高的跨导和输出电阻，并具有高速、耐久的特性，在功率控制方面能力突出。因此，双极性晶体管依旧是组成模拟电路，尤其是甚高频应用电路（如无线通信系统中的射频电路）的重要配件。双极性晶体管可以通过BiCMOS技术与和MOSFET制作在一块集成电路上，这样就可以充分利用两者的优点（如双极性晶体管的电流放大能力和场效应管的低功耗特点）

从基极区域的少数载流子浓度出发，可以解释集电极的载流子流动。如果双极性晶体管为小注入，即通过某些物理过程（如光注入或电注入）引入的非平衡载流子（excess carrier，或称“过剩载流子”）比热平衡时的多数载流子少得多，双极性扩散（即非平衡多数载流子和少数载流子以相同速率流动）速率实际上由非平衡少数载流子决定。另外，双极性晶体管处理高频信号的能力还受限于基极区域载流子的渡越时间。

结构编辑

一个双极性晶体管由三个不同的掺杂半导体区域组成，它们分别是发射极区域、基极区域和集电极区域。这些区域在NPN型晶体管中分别是N型、P型和N型半导体，而在PNP型晶体管中则分别是P型、N型和P型半导体。每一个半导体区域都有一个引脚端接出，通常用字母E、B和C来表示发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。