双组合四探针方阻仪 电阻率测试仪 型号：KDB-3
双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。
双组合四探针方阻仪 电阻率测试仪 型号：KDB-3
KDB-3双组合测试仪是根据标准SEMI MF1529设计，双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。在本测试方法中，在测试样品的每个测量位置上，以两种不同的方式（配置）将探针连接到提供电流和测量电压的电路中。四探针的这种使用法通常被称为“双配置”或“配置切换”测量。单组合四探针相比，用较小间距的探针头就可以进行高精度的测量，从而可获得更高的晶片薄层电阻变化的空间分辨率。
双组合四探针方阻仪 电阻率测试仪 仪器特点如下：
1、配有双数字表：一块数字表在测量显示硅片电阻率的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更简便，测量更精确。
数字电压表量程：0—199.99mV 灵敏度：10μV 输入阻抗：1000ΜΩ
基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度)
2、可测电阻率范围：10—4 —1.9×104Ω·cm。
可测方块电阻范围：10—3 —1.9×105Ω/□。
3、设有电压表自动复零功能，当四探针头1、4探针间未有测量电流流过时，电压表指零，只有1、4探针接触到硅片，测量电流渡过单晶时，电压表才指示2、3探针间的电压（即电阻率）值；同样，当四探针头1、3探针间未有测量电流流过时，电压表指零，只有1、3探针接触到硅片，测量电流渡过单晶时，电压表才指示2、4探针间的电压（即电阻率）值，避免空间杂散电波对测量的干扰。
4、流经硅片的测量电流由高度稳定（万分之五精度）的特制恒流源提供，不受气候条件的影响，整机测量精度＜3%。
电流量程分五档：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。
5、仪器采用触点电阻更低（＜5mΩ）、使用寿命更长的转换开头及继电器（＞10万次），在缘电阻、电流容量方面留有更大的安全系数，提高了测试仪的可靠性和使用寿命。
6、可选配软件进行数据采集,可进行双组合或单组合测量，实现自动切换电压档位、读取相应电压值，根据不同方法计算电阻率或方块电阻值；软件可对测量数据进行分析，如平均值，大值、小值、大百分变化率、平均百分变化率、径向不均匀度等内容。
7、可配KDDJ-3电动测试架，自动上下运行，使测量更方便快捷。
 | 产品名称：热变形、维卡软化点温度测定仪/维卡仪
产品型号：TC-XWB-300 B |
热变形、维卡软化点温度测定仪/维卡仪 型号： TC-XWB-300 B
TC-XWB-300 B热变形、维卡软化点温度测定仪，是为适应塑料工业的高速发展和提高材料的研究和测试水平，采用新的和标准：ISO75-1：1993《塑料-负荷变形温度的测定》，ISO306：1994《塑料-热塑性塑料维卡软化点温度的测定》，GB/T1633-2000《热塑性塑料维卡软化点温度的测定》，GB/T1634-2001《塑料-负荷变形温度的测定》设计而成的，广泛用于塑料化工企业及科研机构。本系统由单片微机控制，使产品的性能更稳定，操作简单，自动化程度高，是国内目前用于非金属材料的变形和软化温度的*的检测仪器。
一、 规格与性能:(本产品用“位移传感器”测量变形量代替老式“百分表” 测量变形量)
1、 温度范围：室温－300℃
2、 升温速率：120±10℃／h（12℃±１℃／6min ）
50± 5℃／h（5℃±0.5℃／6min）
3、 温度误差：±0.5℃ 变形误差：±0.01mm
4、 温度小分辩率：0.1℃ 变形小分辨率0.01mm
5、 负荷范围：0.734N —49.03N 负荷误差：±2.5%
6、 试验架跨距: 60—120mm连续可调（适于热变形试验）
7、 加热功率：4KW
8、 电源电压：AC220V/50Hz 20A
9、 加热介质：甲基硅油或变压器油（介质的闪点温度应高于高试验温度）。
10、 冷却方式：150℃以上风冷，150℃以下水冷或自然冷却。
11、 300B机型：落地式,式样架可自动升降。
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