1、超高精度和稳定性，，来源于高稳定激光光源、温度稳定补偿器设置、起偏器跟踪和超低噪声探测器。
2、高精度样品校准，使用光学自动对准镜和显微镜。
3、快速简易测量，可选择不同的应用模型和入射角度。
4、多角度测量，可支持复杂应用和精确厚度。
5、全面预设应用，包含微电子、光电、磁存储、生命科学等领域。
2、高精度样品校准，使用光学自动对准镜和显微镜。
3、快速简易测量，可选择不同的应用模型和入射角度。
4、多角度测量，可支持复杂应用和精确厚度。
5、全面预设应用，包含微电子、光电、磁存储、生命科学等领域。
全面预设应用，包含微电子、光电、磁存储、生命科学等领域。
1、波长：632.8nm氦氖激光器。
2、长期稳定性：d(y)=±0.01°；d(D)=±0.1°。
3、折射率测量精度：5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范围（多晶硅）：2μm。
5、测量时间：120ms～1.5s（决定于测量方式）。
6、入射角：手动角度计40°～90°，步进值5°。
7、选项：360°旋转单元；真空吸盘；x-y地形图扫描载物台。
8、90°位置时y，D精度：d(y)=±0.002°；d(D)=±0.002°。
9、膜厚测量精度：0.1Å for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范围：4μm。
11、膜层数量默认：在基底或多层膜上的1-3层膜。
12、激光束直径：1mm。
13、样品载物台：可调节高度和角度的样品台，150mm直径。
14、设置：高稳定性补偿器，可得到0°和180°附近D的高精确度电脑控制的起偏器，定位/探测，自动校准高稳定旋转分析器。
2、长期稳定性：d(y)=±0.01°；d(D)=±0.1°。
3、折射率测量精度：5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范围（多晶硅）：2μm。
5、测量时间：120ms～1.5s（决定于测量方式）。
6、入射角：手动角度计40°～90°，步进值5°。
7、选项：360°旋转单元；真空吸盘；x-y地形图扫描载物台。
8、90°位置时y，D精度：d(y)=±0.002°；d(D)=±0.002°。
9、膜厚测量精度：0.1Å for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范围：4μm。
11、膜层数量默认：在基底或多层膜上的1-3层膜。
12、激光束直径：1mm。
13、样品载物台：可调节高度和角度的样品台，150mm直径。
14、设置：高稳定性补偿器，可得到0°和180°附近D的高精确度电脑控制的起偏器，定位/探测，自动校准高稳定旋转分析器。
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