1、超高精度和稳定性,,来源于高稳定激光光源、温度稳定补偿器设置、起偏器跟踪和超低噪声探测器。
2、高精度样品校准,使用光学自动对准镜和显微镜。
3、快速简易测量,可选择不同的应用模型和入射角度。
4、多角度测量,可支持复杂应用和精确厚度。
5、全面预设应用,包含微电子、光电、磁存储、生命科学等领域。
2、高精度样品校准,使用光学自动对准镜和显微镜。
3、快速简易测量,可选择不同的应用模型和入射角度。
4、多角度测量,可支持复杂应用和精确厚度。
5、全面预设应用,包含微电子、光电、磁存储、生命科学等领域。
全面预设应用,包含微电子、光电、磁存储、生命科学等领域。
1、波长:632.8nm氦氖激光器。
2、长期稳定性:d(y)=±0.01°;d(D)=±0.1°。
3、折射率测量精度:5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范围(多晶硅):2μm。
5、测量时间:120ms~1.5s(决定于测量方式)。
6、入射角:手动角度计40°~90°,步进值5°。
7、选项:360°旋转单元;真空吸盘;x-y地形图扫描载物台。
8、90°位置时y,D精度:d(y)=±0.002°;d(D)=±0.002°。
9、膜厚测量精度:0.1Å for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范围:4μm。
11、膜层数量默认:在基底或多层膜上的1-3层膜。
12、激光束直径:1mm。
13、样品载物台:可调节高度和角度的样品台,150mm直径。
14、设置:高稳定性补偿器,可得到0°和180°附近D的高精确度电脑控制的起偏器,定位/探测,自动校准高稳定旋转分析器。
2、长期稳定性:d(y)=±0.01°;d(D)=±0.1°。
3、折射率测量精度:5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范围(多晶硅):2μm。
5、测量时间:120ms~1.5s(决定于测量方式)。
6、入射角:手动角度计40°~90°,步进值5°。
7、选项:360°旋转单元;真空吸盘;x-y地形图扫描载物台。
8、90°位置时y,D精度:d(y)=±0.002°;d(D)=±0.002°。
9、膜厚测量精度:0.1Å for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范围:4μm。
11、膜层数量默认:在基底或多层膜上的1-3层膜。
12、激光束直径:1mm。
13、样品载物台:可调节高度和角度的样品台,150mm直径。
14、设置:高稳定性补偿器,可得到0°和180°附近D的高精确度电脑控制的起偏器,定位/探测,自动校准高稳定旋转分析器。
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