

采用德国MEMS技术单晶硅传感器
防雷保护电路设计
隔爆 (Exd IIC T6 Gb) 或本安 (Exia IIC T6 Ga 或 Exib IIC T4 Gb) 设计
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采用德国MEMS技术单晶硅传感器
防雷保护电路设计
隔爆 (Exd IIC T6 Gb) 或本安 (Exia IIC T6 Ga 或 Exib IIC T4 Gb) 设计
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