佛山市金欣盛真空设备有限公司成立于2011年， 是一家集真空镀膜设备的研发与设计、制造、应用，销售为一体的技术型厂家。拥有经验丰富的研发设计制造团队， 优秀的销售团队和售后团队，为客户提供全方面的售前，售中，售后服务。
金欣盛专业生产PVD真空镀膜设备，并提供客户PVD设备销售、真空配件&耗材销售，保养维修、技术咨询、整厂交钥匙等服务。PVD 设备主要包含：多弧离子真空镀膜设备，磁控溅射真空镀膜设备，蒸发系列真空镀膜设备及其他复合型真空镀膜单体和连续线设备， 主要用于金属与非金属、塑料、复合材料等的表面处理工程，真空镀膜设备应用到各个行业，包括五金，模具，陶瓷，卫浴，钟表，3C, 光学，化妆品，汽车，通讯等行业。
金欣盛坚持及时专业的服务理念，以品质为先、服务为心、诚信为根、专业为本的经营理念，专注于真空镀膜设备之研发、设计与制造，提供客户专业之解决方案。
金欣盛坚持追求更高的品质和服务，期盼得到客户更多的肯定和支持！
以下数值仅供参考
| 性能型号 | JXS-CSV-0606 | JXS-CSV-1010 | JXS-CSV-1312 | JXS-CSV-1612 | JXS-CSV-1812 | |
| 镀膜室尺寸 | Ф600×H600mm | Ф1000×H1000mm | Ф1300×H1200mm | Ф1600×H1200mm | Ф1800×H1200mm | |
| 用于行业 | 钟表行业、3C行业、五金行业、精密模具业、工具行业等 | |||||
| 用于产品 | 手表、手机壳、介子、眼镜架、五金、洁具、餐具及刀具、模具等 | |||||
| 镀膜效果 | Tin、TiCN、CrN、TiALN、TiCrN、ZrN、TiNC及各类金属石膜（DLC）。 | |||||
| 真空室结构 | 立式前开门结构配置抽气系统及水冷系统 | |||||
| 真空获得系统 | 分子泵 | ≥2500（L/s） | ≥2500（L/s） | ≥3600（L/s） | ≥7200（L/s） | ≥10800（L/s） |
| 罗茨泵 | ≥150（L/s） | ≥150（L/s） | ≥1200（L/s） | ≥1200（L/s） | ≥1200（L/s） | |
| 机械泵 | ≥70（L/s） | ≥70（L/s） | ≥210（L/s） | ≥210（L/s） | ≥210（L/s） | |
| 维持泵 | ≥8（L/s） | ≥15（L/s） | ≥30（L/s） | ≥30（L/s） | ≥30（L/s） | |
| 备注 | 可根据客户的要求进行配置 | |||||
| 真空测量系统 | 薄膜规(MKS)、冷阴极(MKS)、皮拉尼(MKS) | |||||
| 电源类型 | 直流电源、中频电源、脉冲电源 | |||||
| 极限真空指标 | 空载冷态 1.0一 6.0×10-4Pa | |||||
| 电弧源 | ≥4台 | ≥6台 | ≥8台 | ≥10台 | ≥12台 | |
| ≥200A | ≥200A | ≥200A | ≥200A | ≥200A | ||
| 偏压电源 | ≥10KW | ≥10KW | ≥20KW | ≥20KW | ≥30KW | |
| 磁控电源 | ≥1 | ≥1 | ≥2 | ≥2 | ≥2 | |
| 工件转动方式 | 多轴行星式公自转、变频调速（可控可调） | |||||
| 工件烘烤温度 | 常温-300℃至450℃-600℃可控可调（PID温控） | |||||
| 工艺气体 | 3路或4路工艺气体流量控制及显示系统选配自动加气系统 | |||||
| 氩气、氮气、氧气、乙炔等 | ||||||
| 冷却方式 | 水冷却循环方式，另配工业冷却水塔或工业冷水机（制冷机)或深冷系统。（客户提供） | |||||
| 控制方式 | PLC+触摸屏操作或计算机控制，手动、半自动、自动方式、 | |||||
| 供给指标 | 气压0.5-0.8MPa、水温≤25℃、水压≥0.2MPa、 | |||||
| 报警及保护 | 对泵和靶等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警，并执行相应保护措施及电气联锁功能。 | |||||
| 整机总功率 | ≤65KW | ≤65KW | ≤85KW | ≤105KW | ≤125KW | |
| 输出频率 | 电压380V±5% ，频率50Hz（可根据客户国家用电标准配置） | |||||
| 设备占地面积 | ≤55m2 | ≤55m2 | ≤55m2 | ≤55m2 | ≤55m2 | |
| 备注 | 可根据用户要求设计制造非标设备，可加装磁控溅射靶、中频孪生对靶等。 | |||||
磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用（ E X B drift）使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。
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