深圳市惠新晨电子有限公司
型号:HC018N10L参数：100V39A ，类型：N沟道结MOS场效应管，内阻22毫欧， 低结电容1000pF， 封装：贴片（TO-252）
HC018N10L是一款采用SGT工艺结MOS管，低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC018N10L可以应用于LED驱动电源，电子打火、驱动电机、工控电源等产品，高性价比
HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火市场设计开发的一款结MOS管，低开启电压 低内阻，特别适合应用于电弧打火，其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射
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驱动电机100V结MOS管SGT工艺 内阻22mΩ
驱动电机100V结MOS管SGT工艺 内阻22mΩ
MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏和源之间有一个寄生二管。这个叫体二管，在驱动感性负载（如马达），这个二管很重要。顺便说一句，体二管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
工厂规模：
可靠性测试及品质把控：
封装及测试流程：
公司库存实力展示：
我们一直保持与国内*的晶圆厂、封装厂及测试厂合作，对产品品质精益求精，力把品质关。为客户提供的不仅仅是的产品，还有完善的解决方案和优质的服务，相信客户会成为我们的伙伴并一起取得巨大的商业成功。本公司常年备有大量的现货库存，并接受订货服务。
我们一直致力于建设优良的芯片设计队伍、优良的产品应用队伍、优良的销售队伍，保持产品的不断创新，力争为客户带来大有竞争力的产品。为创造一个绿地球而努力，为今天为明天，惠新晨与你一起努力！
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