First Sensor硅光电倍增管（SiPM）是具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器。硅光电倍增管是光电倍增管的有效替代品。该系列探测器的主要优势在于其高增益特性、响应速度和低工作电压。该系列探测器还具有对磁场不敏感和集成度高等特点。该系列探测器针对在420nm或550nm波段具有峰值敏感性的近紫外线（NUV）或红绿蓝3通道（RGB）光检测应用进行了优化设计。芯片级封装（CSP）采用无边框硅光电倍增管冲模，提供经济高效的解决方案，以此限度地扩大活跃区面积。

典型应用领域包括高能物理、医学影像学、核医学、国土安全及分析仪器等。

特性

  • 出色的单光子探测灵敏度
  • 光检测工作距离长（响应波长：350至900nm）
  • 暗计数率 <100/<200 kHz/mm2
  • 优异的击穿电压一致性
  • 良好的温度稳定性
  • 增益 (106)
  • 的定时性能
  • 对磁场不敏感
  • 即使直接曝光在环境背景光下也不会损坏探测器
  • 芯片级封装（CSP）符合RoHS要求

此外，First Sensor可针对您的具体要求开发硅光电倍增管模块。该系列定制化模块可集成至您的系统中，便于测试运行。

文件下载

  • PDF数据手册: Near Ultraviolet (NUV) SiPMs
  • PDF数据手册: Red, Green, Blue (RGB) SiPMs
  • PDF数据手册: SiPM Module
  • PDF应用说明: Introduction to silicon photomultipliers (SiPMs)

近紫外线（NUV）硅光电倍增管

技术规格和PDF数据图表

Order #
Chip
package		Active
area
(mm)		Pixel
size
(µm)		Pixel
Fill-
factor		Dark count
rate
(kHz/mm²)
Photon
detection
efficiency
(%)		Gain
5000076SMD1×140×4062560<50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV		433.6×106
5000077SMDØ 1.240×4067360<50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV		433.6×106
5000078SMD3×340×40552060<50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV		433.6×106
5000079SMD4×440×40934060<50 @ 2 V OV
<100 @ 6 V OV		433.6×106

 

红绿蓝3通道（RGB）硅光电倍增管

技术规格和PDF数据图表

Order #
Chip
package		Active
area
(mm)		Pixel
size
(µm)		Pixel
Fill-
factor		Dark count
rate
(kHz/mm²)
Photon
detection
efficiency
(%)		Gain
5000080SMD1×140×4062560<100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV		32.52.7×106
5000081SMDØ 1.240×4067360<100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV		32.52.7×106
5000082SMD3×340×40552060<100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV		32.52.7×106
5000083SMD4×440×40934060<100 @ 2 V OV
<200 @ 4 V OV		32.52.7×106

完整评估套件

为尽可能简化First Sensor雪崩光电二极管探测器的检测过程，我们开发出包括电源在内的完整评估套件。

技术规格和PDF数据图表

Order #ChipType
3001473-3001481SiPMSiPM Module

注：产品需有订购量，请与我们联系。