4M系列金属氮化物硅芯片电容器是专为微波电路应用中的高可靠性和可重复性而设计的。这些电容器是用低压化学气相沉积（LPCVD）制成的，这种沉积能产生致密、均匀的氮化物层。与类似的MOS、MIS和陶瓷电容器相比，这些器件具有更高的单位面积电容（导致更小的芯片尺寸）和更高的耐用性。蒸发金触点用于在电容器芯片上提供易于粘合的金属垫。M/A-Com MNS电容器在150摄氏度的额定隔离电压下没有显示可测量的电容变化。

MA4M系列芯片电容器是Ku波段混合微波电路的，在Ku波段，低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性是首要考虑的问题。

这些芯片电容器适用于需要直流块、耦合电容器、旁路电容器、电容负载和振荡器、乘法器和滤波器中的调谐元件的应用。

MA4M2020特征

•良好的重复性（晶圆对晶圆和批次对批次）

•小尺寸

•低损耗，高Q

•提供圆形或方形粘合垫