湿氧氧化速率快，但是表面有硅烷醇和光刻胶沾润不良，光刻时易浮胶，并能引起杂质的再分布日本HD精密点胶机谐波CSF-11-30-2A-R若在湿氧氧化前先通一些时间干氧，有利于保持硅片表面的完整性日本HD精密点胶机谐波CSF-11-30-2A-R和生长高质量的二氧化硅，提高其间的表面性能；在湿氧氧化后再通入一段时间的干氧，可使湿氧生长的二氧化硅趋于干氧氧化膜的性质，同时表面的硅烷醇或表面吸附的水分子转变成硅氧烷(Si-O-Si)，从而改善了二氧化硅表面与光刻胶的接触，使光刻时不易日本HD精密点胶机谐波CSF-11-30-2A-R浮胶。这样做充分利用了干氧氧化和湿氧氧化的优点，解决了生长速率和工艺质量的矛盾。
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