产品属性
| 有效直径 | 1.5mm |
| 有效面积 | 1.77mm2 |
| 封装形式 | TO-5 |
| 发散角α1 | 104° |
| 发散角α2 | 130° |
| 击穿电压 | 390V |
| 温度系数 | 2.4V/°C |
| 增益 | 100 |
| 响应度@900nm | 70A/W |
| 响应度@1060nm | 34A/W |
| 响应度@1150nm | 5A/W |
| 量子效率@900nm | 85% |
| 量子效率@1060nm | 40% |
| 量子效率@1150nm | 5% |
| 暗电流 | 100nA |
| 噪声电流 | 0.7pA/Hz |
| 电容 | 3pF |
| 串联电阻 | 15?(Max) |
| 上升/下降时间 | 2ns |
| 反向偏置电流 | 200uA(Max) |
| 光电流密度 | 5mA/mm2 |
| 正向电流 | 5mA |
| 存储温度 | -60℃ to +100℃ |
| 工作温度 | -40℃ to +70℃ |
产品简介
C30955EH通用型Si雪崩光电二极管采用的是双扩散的“reach-though"结构。这种光电二极管的特点是其在长波(>900nm)波段响应增强。这些雪崩光电二极管在1060nm的量子效率高达40 %，同时，该二极管保持了低噪声、低电容及上升和下降时间迅速的特征。为了简化设计，这些雪崩光电二极管也用于生产高性能带前置放大器模块的C30659 系列，而且还可用于前置放大器加温度致冷器合并模块LLAM 系列。
产品特性
■ 1060 nm波长高量子效率
■ 快速响应时间
■ 宽的工作温度范围
■ 低电容
■ 密封包装
■ RoHS 适应
应用范围
■ 测距
■ 激光雷达
■ YAG 激光探测
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