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NVMFS5C410NLAFT1G

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:NVMFS5C410NLAFT1G
  • 品牌:
  • 产品类别:其它工业以太网
  • 所在地:深圳市
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2025-01-29 10:57:53
  • 浏览次数:2
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  • 商铺产品:4856条
  • 所在地区:广东深圳市
  • 注册时间:2023-10-24
  • 最近登录:2023-10-24
  • 联系人:陈先生 (销售经理)
  • 电    话:13925277766
产品简介

技术参数制造商ON型号NVMFS5C410NLAFT1G封装5-DFN描述表面贴装型N通道40V50A(Ta)

详情介绍

技术参数

制造商
ON
型号
NVMFS5C410NLAFT1G
封装
5-DFN
描述
表面贴装型 N 通道 40 V 50A(Ta),330A(Tc) 3.8W(Ta),167W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

产品描述

NVMFS5C410NLAFT1G 是一款采用5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能 40V,330A,0.82mΩ功率 MOSFET,该器件符合AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能,可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。


规格

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Ta),330A(Tc)

驱动电压( Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(值):0.82 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值):143 nC @ 10 V

Vgs(值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值):8862 pF @ 25 V

FET 功能:-

功率耗散(值):3.8W(Ta),167W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等级:汽车级

资质:AEC-Q101

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线

基本产品编号:NVMFS5


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