技术参数
制造商
ON
型号
NTMYS010N04CLTWG
封装
LFPAK4
描述
表面贴装型 N 通道 40 V 14A（Ta），38A（Tc） 3.8W（Ta），28W（Tc） LFPAK4（5x6）
产品描述
NTMYS010N04CLTWG 是适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。该器件具有低漏极-源极导通电阻，可限度地降低导通损耗，并具有低栅极电荷和电容，可限度地降低驱动器损耗。这些工业级功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+175°）。
规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），38A（Tc）
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：10.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：7.3 nC @ 10 V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：570 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（值）：3.8W（Ta），28W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：LFPAK4（5x6）
封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK
基本产品编号：NTMYS010
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