技术参数
产品描述
ISC015N06NM5LF 是 60V OptiMOS™ 5 线性 FET,N 沟道晶体管。
产品属性
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A(Ta), 275A(Tc)
驱动电压( Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 1.55 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 3.45V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 113 nC @ 10 V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 9000 pF @ 30 V
功率耗散(值) 3W(Ta), 217W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8 FL
封装/外壳 8-PowerTDFN
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