技术参数
制造商
INFINEON
型号
IQE004NE1LM7CGSC
封装
PG-WHTFN-9
描述
表面贴装型 N 通道 15 V 2.1W（Ta），89W（Tc） PG-WHTFN-9
产品描述
IQE004NE1LM7CGSC 是业内15 V沟槽式功率MOSFET产品组合的一部分。与OptiMOS™5 25 V相比，击穿电压的降低使RDS（on）和FOMQG改善了约30%，FOMQOSS改善了约40%。中心栅极尺寸经过了并行化优化。双侧冷却功能提升了热管理能力，将高功率SMPS应用的功率密度和效率提升到新的水平。
规格
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：58A (Ta), 379A (Tc)
驱动电压（ Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）：0.45mOhm @ 30A, 7V
不同 Id 时 Vgs(th)（值）：2V @ 432µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）：55 nC @ 7 V
Vgs（值）：±7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）：6240 pF @ 7.5 V
FET 功能：-
功率耗散（值）：2.1W（Ta），89W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-WHTFN-9
封装/外壳：9-PowerWDFN
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