技术参数
产品描述
RGTV80TS65GC11是一款高速开关型场终止沟槽型IGBT,具有低集电极-发射极饱和电压,低开关损耗和2μs短路耐受时间等特性。RGTV 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。
规格
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(值):78 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(值):1.9V @ 15V,40A
功率 - 值:234 W
开关能量:1.02mJ(开),710µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:81 nC
25°C 时 Td(开/关)值:39ns/113ns
测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
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