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当前位置：深圳宏大实业有限公司>>SAMSUNG/三星>>SAMSUNG/三星 存储IC>> K4B2G1646F-BCMAK4B2G1646F 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
K4B2G1646F 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
| 制造商IC编号 | K4B2G1646F-BCMA |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | DDR3 SDRAM |
| IC代码 | 128MX16 DDR3 |
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.5 V |
| 温度规格 | Commercial (0°C – 95°C) |
| 速度 | DDR3-1866(13-13-13)4 |
| 标准包装数量 | 1120 |
| 标准外箱 | * |
| 数量 | 20000 |
| Number Of Words | 128M |
| Density | 2G |
| Power | Normal Power |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 7th Generation |
深圳市宏大实业有限公司，是国内专业集成电路供应链专家，公司成立于2016年，团队核心在国内外原厂、代理商都担任过重要职位. 公司专注物联网、音视频、车载、智能家电、工业通讯领域市场，在深圳、上海均设有研发团队，服务国内外客户超过500多家，其中上市公司和准上市公司超过20家。 目前代理分销产品线有索尼、松下、OV、思特威、晶像、MSTAR、海思、华邦、旺宏、三星、海力士、村田、TI、ADI、ST、移远、仙童、赛灵思，GD、国巨、旺诠、Realtek SK hynix/海力士等多达30多家国内外半导体公司，可以为客户提供研发-供应链-生产服务的优质服务，期待和您共同成长！
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